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型号 SI3909DV-T1-E3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET 2P-CH 20V 6TSOP
SI3909DV-T1-E3 PDF
代理商 SI3909DV-T1-E3
标准包装 3,000
系列 TrenchFET®
FET 型 2 个 P 沟道（双）
FET 特点 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) 20V
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 200 毫欧 @ 1.8A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 500mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 4nC @ 4.5V
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽）
供应商设备封装 6-TSOP
包装 带卷 (TR)
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